3月21日，Qorvo在京舉辦線下媒體沙龍活動，在活動中，Qorvo高級現(xiàn)場支持工程師周虎表示，碳化硅在新能源汽車市場優(yōu)勢明顯，但一些技術(shù)在實現(xiàn)的過程中依舊存在一些痛點亟待解決。

周虎表示，目前在新能源汽車的使用場景中，在電動機驅(qū)動部分傳統(tǒng)的設(shè)計主要使用IGBT器件，由于IGBT是MOSFET和BJT組成的復合型半導體器件，因此具有耐高壓以及抗電流沖擊能力較強的特性。但由于IGBT導通后的損耗模型為P=U×I，這也導致其在小功率、小電流的應用場景中的導通損耗比較大。而且由于IGBT本身的寄生參數(shù)較大，因此開關(guān)損耗也較大。除此之外，IGBT關(guān)斷時還有拖尾電流，因此在半橋或全橋應用中需要加大死區(qū)，造成IGBT的開關(guān)頻率相對較低，從而系統(tǒng)體積難以小型化，以上為IGBT主要的應用缺點。但是IGBT在高電壓、大電流的應用場景中優(yōu)勢明顯,因此在汽車領(lǐng)域，IGBT適合用于重機型的場景中，例如：重型卡車、高速列車等。

而碳化硅器件導通后的特性類似于電阻，且導通阻抗相比硅基Mosfet更低，其損耗模型為P=I2×R，在較小功率或較小電流應用中，其損耗小于IGBT，因此碳化硅的這個優(yōu)點更符合小型轎車的應用場景。而且碳化硅的熱傳遞性非常好，且絕緣能力強，這些特性非常適合high power的應用。除此之外，碳化硅器件的開關(guān)頻率可以做的更高，有利于減小磁性器件的匝數(shù)并減小體積，并有利于減小濾波電容和母線電容的用量。可以幫助客戶減小系統(tǒng)尺寸并減少成本，提高功率密度。

然而，產(chǎn)能不足是導致碳化硅成本無法下降的主要痛點，也是碳化硅無法在常規(guī)車型中得到普及應用的一大痛點。周虎表示，如今，不少碳化硅企業(yè)開始嘗試通過增加晶圓面積來解決此類痛點，將傳統(tǒng)的4英寸或6英寸晶圓提升至8英寸甚至未來12英寸的晶圓。這是由于，不同晶圓面積的切割成本相似，但是能在大尺寸的晶圓上能夠切割出更多的die片，從而可以有效降低die片單位成本。但是，在提升晶圓面積的同時，如何保證良率是目前需要解決的挑戰(zhàn)，目前良率相對穩(wěn)定的依舊是6英寸及以下的晶圓。

此外，周虎表示，目前業(yè)界為了兼容全級別車型快充功能開始推動800V電氣架構(gòu)，功率相同的情況下，通過抬高電池電壓，從而減少流過的電流，減少發(fā)熱損耗來提高汽車的續(xù)航里程。因此800V高壓也成為了碳化硅在新能源汽車領(lǐng)域中的主要“秀場”。但相比過去的400V電壓平臺，800V高壓在實施的過程中，需要注意以下潛在風險：首先，汽車的“三電”系統(tǒng)，空調(diào)壓縮機，DCDC直流變換器，OBC車載充電機等必須要滿足在這個電壓平臺上的安全工作，1200V耐壓等級的SiC或IGBT將會是唯二的選擇，而前者優(yōu)勢較明顯。其次，汽車設(shè)計必須重視這個電壓平臺下對平臺的絕緣，器件的耐壓及漏電等相關(guān)安全考慮。最后，由于高電壓是通過很多電池串聯(lián)來實現(xiàn)，因此在高壓及大電流工作環(huán)境下如何保證電池的安全，如何合理計算電池整體的續(xù)航里程并保證電池的使用壽命也提出了很多的問題。