汽車級器件導(dǎo)通電阻低至4.4 mW，采用業(yè)內(nèi)超薄鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm緊湊型PowerPAK^?SO-8L封裝

賓夕法尼亞、MALVERN—2019年3月7日—日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出新款30 V和40 V汽車級p溝道TrenchFET^?功率MOSFET---SQJ407EP和SQJ409EP，采用鷗翼引線結(jié)構(gòu)PowerPAK^?SO-8L封裝，有效提升板級可靠性。SQJ407EP和SQJ409EP通過AEC-Q101認(rèn)證，占位面積比DPAK封裝器件減小50%以上，節(jié)省PCB空間并降低成本，同時導(dǎo)通電阻低于任何鷗翼引線結(jié)構(gòu)5 mm x 6 mm封裝MOSFET。

由于需要很高功率，12 V汽車系統(tǒng)馬達(dá)驅(qū)動和主電源要求MOSFET在各種應(yīng)用中具有極低的導(dǎo)通電阻，如電池反向極性保護(hù)和高邊開關(guān)。Vishay Siliconix -30 V SQJ407EP和-40 V SQJ409EP在10 V條件下，導(dǎo)通電阻分別為4.4 mW和7.0 mW，完全可以滿足這種要求。此外，作為p溝道MOSFET，兩款器件是理想的負(fù)載開關(guān)，不需要電荷泵提供n溝道器件所需的正向柵壓。

日前發(fā)布的MOSFET工作溫度可達(dá)+175 °C，同時鷗翼引線結(jié)構(gòu)可緩解溫度循環(huán)過程中、主板彎曲、振動和意外跌落產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，與剛性QFN封裝相比，具有更加優(yōu)異的板級可靠性。鷗翼引線結(jié)構(gòu)還有助于自動光學(xué)檢測(AOI) 過程獲得更加一致可靠的結(jié)果。

器件采用無鉛(Pb) 封裝、無鹵素、符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，經(jīng)過100 % Rg和UIS測試。

SQJ407EP和SQJ409EP現(xiàn)可提供樣品并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

VISHAY簡介

VishayIntertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強(qiáng)企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計(jì)算、汽車、消費(fèi)、通信、國防、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細(xì)信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。

TrenchFET和PowerPAK 是Siliconix公司的注冊商標(biāo)