靜電場的強度取決于充電物體上的電荷數量和它的電荷量不同的物體之間的距離。人體上的電壓通常會達到8kv~10kv，有時電壓會更高，達到12kv~15kv。許多文獻上稱，人體的電壓可以達到30kv。但這是假設身體的最小輝光放電半徑為1cm時推斷的。實際上，人體上許多部位的輝光放電半徑小于1cm，因此在通常條件下是不會出現這么高電壓的。人體上的最高電壓應該是20kv左右。

　　如果一個元件的兩個針腳或更多針腳之間的電壓超過元件介質的擊穿強度，就會對元件造成損壞，這是MOS器件出現故障最主要的原因。MOS器件的氧化層越薄，元件對靜電放電的敏感性也越大。由靜電引起的MOS器件故障通常表現為元件本身對電源有一定阻值的短路現象。對于雙極性元件，損壞一般發生在薄氧化層隔開的已進行金屬噴鍍的有源半導體區域，靜電引起的擊穿會產生電流嚴重泄露的路徑。

　　另一種故障是由于節點的溫度超過半導體硅的熔點（1415℃）時引起的。靜電放電脈沖的能量可以產生局部發熱，使半導體局部熔斷損壞。即使靜電產生的電壓低于介質的擊穿電壓，也會發生這種故障。一個典型的例子是，NPN型三極管發射極與基極間常會因靜電而擊穿，擊穿后電流增益急劇降低。

　　器件受到靜電放電的影響后，也可能不立即出現功能性的損壞。這些受到潛在損壞的元件通常被稱為“跛腳”，一旦加以使用，將會對以后發生的靜電放電或傳導性瞬態表現出更大的敏感性。整體的性能表現為電子設備的性能越來越差，直至完全損壞。

　　要密切注意元件在不易察覺的放電電壓下發生的損壞，這一點非常重要。人體有感覺的靜電放電電壓為3000v~5000v，然而，元件發生損壞時的電壓僅幾百伏，。這勢必會對電子電路的性能產生影響。表1和表2分別列出了典型生產現場易產生的靜電電壓及靜電對部分電子器件的擊穿電壓。由這兩個表我們可以看出，相對于自然界的靜電來說，電子器件是非常嬌貴的，正是基于這一因素，是否采取了靜電防護措施是衡量電子器件質量好壞的一個非常重要的指標。